專(zhuān)利大戰小勝一場(chǎng)!300億半導體巨頭英諾賽科在反訴英飛凌案件中,獲得管轄權勝訴!
據多家權威媒體報道,在與國際巨頭英飛凌的專(zhuān)利大戰中,我國第三代半導體企業(yè)英諾賽科(02577.HK)小勝一局,獲得管轄權勝訴。法院終審裁定,駁回英飛凌中國公司及無(wú)錫公司提出的管轄權異議上訴,確認蘇州市中級人民法院對案件的管轄權。

據了解,此次裁定是源于今年一月份,英諾賽科向英飛凌發(fā)起的一起專(zhuān)利訴訟。
2025年1月16日,英諾賽科發(fā)布公告稱(chēng),公司及其全資附屬公司英諾賽科(蘇州)半導體有限公司(英諾蘇州)向中國江蘇省蘇州市中級人民法院提起訴訟,指控英飛凌科技(中國)有限公司(被告一)、英飛凌科技(無(wú)錫)有限公司(被告二)及蘇州芯沃科電子科技有限公司(被告三)侵犯其兩項專(zhuān)利,兩項專(zhuān)利的專(zhuān)利號分別為:202311774650.7、202211387983.X。
英諾賽科表示,涉案專(zhuān)利分別涉及一種氮化鎵(GaN)功率器件及其制備方法,以及一種氮化物基半導體器件及其制造方法。根據起訴狀,被告二是被告一的全資控股子公司,并為英飛凌中文網(wǎng)站的備案主體。該網(wǎng)站向中國的潛在客戶(hù)展示、宣傳及許諾銷(xiāo)售多種型號的氮化鎵(GaN)半導體器件(「涉案侵權產(chǎn)品」);被告一是涉案侵權產(chǎn)品的進(jìn)口商和總經(jīng)銷(xiāo)商;根據英飛凌中文網(wǎng)站,被告三是被告一、被告二于中國的增值分銷(xiāo)商。
經(jīng)技術(shù)比對,英諾賽科認為涉案侵權產(chǎn)品落入涉案專(zhuān)利的保護范圍,三被告未經(jīng)原告允許實(shí)施了許諾銷(xiāo)售、銷(xiāo)售、進(jìn)口涉案侵權產(chǎn)品的行為,構成對涉案專(zhuān)利的侵害,依法應當承擔相應的法律責任,包括停止侵權行為及承擔賠償責任。
實(shí)際上,英諾賽科此次起訴英飛凌,是對英飛凌的一次反訴,英飛凌早就在美國、德國等地,對英諾賽科提起了訴訟。

據英飛凌官網(wǎng)信息,早在2024年3月14日,英飛凌已在美國加利福尼亞北區地方法院對英諾賽科提起了專(zhuān)利侵權訴訟,并于2024年6月4日向德國慕尼黑地方法院提起相應訴訟,同時(shí)對英諾賽科德國分銷(xiāo)商提起了其他訴訟。
2024年7月23日,英飛凌在美國加利福尼亞北區地方法院,對英諾賽科(珠海)科技有限公司、英諾賽科美國公司及其關(guān)聯(lián)公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):英諾賽科)在現有訴訟基礎上,追加了新的訴訟請求,指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項與氮化鎵(GaN)技術(shù)相關(guān)的專(zhuān)利。
此外,英飛凌還在2024年7月26日,向美國國際貿易委員會(huì )(USITC)起訴,就前述訴訟所涉的四項相同專(zhuān)利提出法律索賠。
英諾賽科簡(jiǎn)介:
英諾賽科官網(wǎng)顯示,公司是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),采用IDM(Integrated Device Manufacture)全產(chǎn)業(yè)鏈模式,建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線(xiàn)。
截至2025年5月9日收盤(pán),英諾賽科市值為331億港幣,約合人民幣307億元。
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